MB85RQ4ML は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた524,288ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。
MB85RQ4ML は, 四つの双方向I/O を用いて, 54 MB/s までの高速書込み/ 読出しが可能な, クワッドシリアルペリフェラルインタフェース (QSPI) を採用しています。
MB85RQ4ML は, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RQ4ML に採用しているメモリセルは1013 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。
MB85RQ4ML は, 高速書込みが可能であり, 書込みのための待ち時間を必要とせず, フラッシュメモリやE2PROM のような長い書込み時間も必要としません。したがって, ネットワーキング, ゲーム, 産業用コンピューティング, カメラ, RAIDコントローラなどに最適です。