8MビットFRAM「MB85R8M2TA」データシート 主な仕様 ・製品名:MB85R8M2TA ・容量(メモリ構成):8Mビット(512K x 16ビット) ・インターフェース:パラレルインターフェース(低消費電力SRAM互換) ・動作電源電圧:1.8V～3.6V ・動作温度範囲:-40℃～+85℃ ・書込み/読出し保証回数:10兆回 ・パッケージ: 48ピンFBGA, 44ピンTSOP ・低消費電力: 動作…

MB85RS2MLY は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた262,144 ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memoy:強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。MB85RS2MLY は, 自動車などの高温環境下での動作が必要となる用途に適しています。 MB85RS2MLY は, シリアルペリフェラルインタ…

MB85RQ4ML は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた524,288ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。 MB85RQ4ML は, 四つの双方向I/O を用いて, 54 MB/s までの高速書込み/ 読出しが可能な, クワッドシリアルペリフェラルインタフ…

MB85RS4MTYは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた524,288 ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。MB85RS4MTY は自動車などの高温環境下での動作が必要となる用途に適しています。 MB85RS4MTY は, シリアルペリフェラルインタフ…

富士通グループでは、1969年から50年以上もメモリ製品を提供し続けています。現在は、データ保持にバッテリーや電源供給が要らない不揮発性メモリを中心としたメモリソリューションを提供しています。 FRAM(エフラム: Ferroelectric Random Access Memory) は、強誘電体メモリと呼ばれ、既存の不揮発性メモリと比較して高速書込み、高書換え耐性、…

EEPROMやフラッシュメモリと比べて書換え耐性および書込み性能に優れ、低消費電力の不揮発性メモリ「MB85RS2MTY」 メモリ容量：2Mビット、インターフェース：SPI、動作電源電圧：1.8～3.6V、動作温度範囲：－40～＋125℃、書込み／読出し保証回数：10兆回、動作周波数：最大50MHz。AEC-Q100グレード1に準拠。