MB85RS2MLY は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた262,144 ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memoy:強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。MB85RS2MLY は, 自動車などの高温環境下での動作が必要となる用途に適しています。
MB85RS2MLY は, シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。
MB85RS2MLY は, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RS2MLY に採用しているメモリセルは1013 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。
MB85RS2MLY はフラッシュメモリやE2PROM のような長い書込み時間は必要とせず, 書込みの待ち時間はゼロです。
したがって, 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。