EEPROMやフラッシュメモリと比べて書換え耐性および書込み性能に優れ、低消費電力の不揮発性メモリ「MB85RS2MTY」
メモリ容量：2Mビット、インターフェース：SPI、動作電源電圧：1.8～3.6V、動作温度範囲：－40～＋125℃、書込み／読出し保証回数：10兆回、動作周波数：最大50MHz。AEC-Q100グレード1に準拠。