マウザー、Infineonの「汎用MOSFET ≤250V＆≥500V」の取り扱いを開始
2022/11/22
Mouser Japan GK(マウザー・エレクトロニクス)
半導体と電子部品の幅広い品揃えと新製品投入(NewProduct Introduction：NPI)のリーディング・ディストリビュータであるMouserElectronics(マウザー・エレクトロニクス本社：米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー)は、InfineonTechnologies(Infineon Technologies AG、本社：ドイツノイビーベルク、以下：Infineon)の各種汎用MOSFETの提供を開始します。Infineonの高電圧および低電圧の豊富なポートフォリオは、プロジェクト、価格設定、または物流の要件を満たすMOSFETをお探しの設計者向けに、さまざまなアプリケーションに柔軟性、価値、適応性を提供いたします。
「汎用MOSFET ≤250V＆≥500V」の詳細
マウザーでは、低電圧(最大250Vの設計用)と高電圧(500V～900Vの設計用)の両方のInfineon汎用MOSFETを取り扱っています。低電圧MOSFETには、ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧が20V～600Vのさまざまなシングル／デュアルNチャネルおよびPチャネルデバイスが含まれます。これらのデバイスのドレイン-ソース間抵抗の定格は1.1mΩ～30Ωで、連続ドレイン電流の範囲は100mA～260Aです。これらの低電圧MOSFETの動作温度範囲は-55℃～＋175℃で、AEC-Q101認定を受けています。
高電圧MOSFETは、500V～900Vの範囲のドレイン-ソース間ブレークダウン電圧、77mΩ～4.68Ωのドレイン-ソース抵抗、および1A～54.9Aの範囲の連続ドレイン電流を特長としています。これらのデバイスの最低動作温度は-40℃であり、消費電力は5W～500Wの範囲です。
Infineonの汎用MOSFETは、SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252(DPAK)、SOT-223、TO-220など、幅広いパッケージオプションから入手可能です。すべてのデバイスは、Infineonのオンライン設計ツール、シミュレーションモデル、および包括的な製品サポートドキュメントによってもサポートされています。
これらの汎用MOSFETは、広範な電力変換および管理アプリケーションに最適で、バッテリー逆接続保護機能、代替電源間の電源切り替え、または不要な負荷のパワーダウンを必要とする設計に組み込むことができます。対象となるアプリケーションには、スイッチモード電源、充電器とアダプタ、照明、TV電源、サーバー／テレコムデバイス、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御とドライブ、バッテリ管理システムなどがあります。
「汎用MOSFET ≤250V ＆ ≥500V」の詳細については、下記URLをご覧ください。
https://www.mouser.com/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/
マウザーは、グローバルな正規代理店として、最新の半導体と電子部品を世界最大級の規模で取り揃えており、すぐに出荷可能です。提携メーカーによる完全なトレーサビリティを実現した100％認定済みの純正品のみを迅速にお届けします。より迅速な設計開発のお役に立てるよう、当社のウェブサイトでは、テクニカルリソースセンター、製品データシート、メーカーリファレンスデザイン、アプリケーションノート、技術設計情報、エンジニアリングツール、その他にも便利な情報をとりまとめた豊富なライブラリを提供しています。
最新のエキサイティングな製品、技術、アプリケーションに関する情報を、マウザーの無料eニュースレターを通じてエンジニアの皆さまにお届けしています。マウザーの電子メール・ニュースやレファレンスの購読は、お客さまや購読者の変化するプロジェクト・ニーズに合わせてカスタマイズできます。エンジニアに提供する情報にこのレベルのカスタマイズと調整を可能にしている発信者は、ほかにありません。新しい技術や製品トレンドなどについての情報をお受け取りいただけるよう、今すぐhttps://sub.info.mouser.com/subscriber-jpでご登録ください。
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「汎用MOSFET ≤250V＆≥500V」の詳細
マウザーでは、低電圧(最大250Vの設計用)と高電圧(500V～900Vの設計用)の両方のInfineon汎用MOSFETを取り扱っています。低電圧MOSFETには、ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧が20V～600Vのさまざまなシングル／デュアルNチャネルおよびPチャネルデバイスが含まれます。これらのデバイスのドレイン-ソース間抵抗の定格は1.1mΩ～30Ωで、連続ドレイン電流の範囲は100mA～260Aです。これらの低電圧MOSFETの動作温度範囲は-55℃～＋175℃で、AEC-Q101認定を受けています。
高電圧MOSFETは、500V～900Vの範囲のドレイン-ソース間ブレークダウン電圧、77mΩ～4.68Ωのドレイン-ソース抵抗、および1A～54.9Aの範囲の連続ドレイン電流を特長としています。これらのデバイスの最低動作温度は-40℃であり、消費電力は5W～500Wの範囲です。
Infineonの汎用MOSFETは、SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252(DPAK)、SOT-223、TO-220など、幅広いパッケージオプションから入手可能です。すべてのデバイスは、Infineonのオンライン設計ツール、シミュレーションモデル、および包括的な製品サポートドキュメントによってもサポートされています。
これらの汎用MOSFETは、広範な電力変換および管理アプリケーションに最適で、バッテリー逆接続保護機能、代替電源間の電源切り替え、または不要な負荷のパワーダウンを必要とする設計に組み込むことができます。対象となるアプリケーションには、スイッチモード電源、充電器とアダプタ、照明、TV電源、サーバー／テレコムデバイス、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御とドライブ、バッテリ管理システムなどがあります。
「汎用MOSFET ≤250V ＆ ≥500V」の詳細については、下記URLをご覧ください。
https://www.mouser.com/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/
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