不揮発性メモリのFRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発
2019/02/05
RAMXEED株式会社
富士通セミコンダクター株式会社は、FRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。
本製品は、1.8V~3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。
工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。
<主な仕様>
・製品名:MB85R8M2T
・容量(メモリ構成):8Mビット(512Kx16ビット)
・インターフェース:パラレルインターフェース
・動作電源電圧:1.8~3.6V
・動作温度範囲:-40~+85℃
・書込み/読出し保証回数:10兆回
・パッケージ:48ピンFBGA(8×6mm)
本製品は、1.8V~3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。
工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。
<主な仕様>
・製品名:MB85R8M2T
・容量(メモリ構成):8Mビット(512Kx16ビット)
・インターフェース:パラレルインターフェース
・動作電源電圧:1.8~3.6V
・動作温度範囲:-40~+85℃
・書込み/読出し保証回数:10兆回
・パッケージ:48ピンFBGA(8×6mm)
