RAMXEED株式会社のニュースリリース
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2020/04/14125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFRAMを開発
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作のFRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。 本製品は、1.7～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。 この新製品は、先進運… -
2019/10/08125℃動作のFRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ https://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/resources/news/press-releases/2019/1008.html 当社は、125℃での動作を保証するFRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。 本製品は125℃の高温環境下… -
2019/07/30量産製品では世界最大容量となる8MビットReRAMを9月から提供開始
～業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適～ 富士通セミコンダクター株式会社は、ReRAMの量産製品としては世界最大容量となる8MビットReRAM、“MB85AS8MT”を9月から提供開始します。本製品は、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社と共同製品開発したReRAM製品です。 MB85AS8MTは、1.6Vから3.6V… -
2019/02/05125℃動作を保証する、電源電圧が5Vの64Kビット FRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、125℃動作を保証するFRAM製品ファミリーでは初の電源電圧が5Vの製品として、SPIインターフェースをもつ64Kビット FRAM「MB85RS64VY」を開発しました。現在、評価サンプルを提供中で、2019年第1四半期には量産を予定しています。 FRAMは、高速書込み、高書換え耐性、低消費電力の特長をもち、EEPROMの高性能互換品… -
2019/02/05UHF帯RFIDバッテリーレス電子ペーパータグ新技術を開発
富士通セミコンダクター株式会社は、E Ink Holdings Inc.と共同で、電子ペーパーディスプレイの表示をUHF帯無線給電により、バッテリーレスで書換えることが可能な技術を開発しました。近接通信のNFCと違い、このUHF帯の技術を使用することにより、従来密着のみであったデータ書換え時の通信距離を大幅に改善し、電子ペーパーとUHF帯RFIDを組み合わ… -
2019/02/05EEPROMの高性能互換となる不揮発性メモリ、4Mビット シリアルFRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、シリアルインターフェースの最大メモリ容量である4MビットFRAM「MB85RS4MT」を開発し、量産品を提供しています。 MB85RS4MTは、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用しているお客様からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くし… -
2019/02/05不揮発性メモリのFRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発
富士通セミコンダクター株式会社は、FRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで… -
2019/02/05-55℃での低温動作を保証する64K ビット FRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリとして、64KビットFRAM「MB85RS64TU」を開発し、量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。-55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、特に…
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![[ニュース]カート式泡洗浄スプレーユニット|装置や壁面も洗い残しなし](/upload/company_71/press_release/15481/15481_press.webp)
