～Ciss、Coss、Crss自動切換え測定、ゲート電荷／抵抗測定と自動温度依存性測定機能を搭載～

東京、2015年3月16日発 –キーサイト・テクノロジー合同会社（職務執行者社長：梅島 正明、本社：東京都八王子市高倉町9番1号）は、B1505Aパワーデバイス・アナライザ／カーブトレーサの大幅な機能拡張を発表します。この機能拡張により、B1505Aは最新の半導体パワーデバイス開発のオンウェーハとパッケージデバイスの主要パラメータをすべて特性評価できる業界唯一のソリューションになります。

急成長を遂げるパワーエレクトロニクス業界で重要な役割を担うのが、効率性と信頼性に優れた半導体パワーデバイスです。デバイスの性能を十分に活かした開発をするには、電流／電圧特性といった従来から評価しているデバイス特性と同時に、高速スイッチの特性を左右する特性（ゲート電荷（Qg）、デバイスの容量（Ciss、Coss、Crss）、ゲート抵抗（Rg）等）を、オンウェーハとパッケージ形状のデバイスに対して評価する必要があります。さらに、デバイスの特性評価を実際の動作条件下（低温、高温など）で行うことも重要です。しかしながら、今まではこのような機能を評価できるオールインワンソリューションがないため、半導体デバイスメーカーは、半導体ユーザーが実装に必要なデータを十分に提供することができませんでした。

この新たなB1505Aの機能拡張では、オンウェーハとパッケージデバイスの特性評価に必要な機能をすべて提供しています。－50℃～＋250℃の動作温度をカバーし、温度制御機器と同期する自動温度テスト機能を搭載しています。また、自動測定、高電圧バイアス下のデバイスのキャパシタンスとRg測定が可能です。低電圧／高電圧を設定しQg曲線を測定する新しい測定方法により、IGBTモジュールなどハイパワーデバイスを正確に特性評価できます。これにより、半導体デバイスメーカーは、ユーザーが必要とするあらゆるデータを効率的に取得し提供できるため、半導体デバイスビジネスを有利に進められるようになります。

柔軟でアップグレード可能なB1505Aのハードウェアアーキテクチャは、デバイスエンジニアやプロセスエンジニアのほぼすべてのニーズに対応できるように設計されています。例えば、B1505Aは最大5台の高電圧ソース・モニタ・ユニットを構成できる構造になり、集中した信頼性テストも可能です。

B1505Aが新たに機能拡張されたことで、デバイス／プロセスエンジニア、パワー・デバイス・メーカーのQAエンジニア、IGBTやパワーMOSFETなどのパワーデバイス、炭化ケイ素、窒化ガリウムなどの新しいパワーデバイス用ワイドバンドギャップ材料開発に従事する半導体パワーデバイス研究者など、幅広いお客様に最適なソリューションとなっています。さらに、デバイスの受入れ検査や障害解析にも使用いただけるソリューションです。

当社八王子半導体テスト事業部長の山本 正樹は次のように語っています。「最新のパワーデバイスでは、信頼性とエネルギー効率が最優先事項となっています。このようなデバイス開発では、広範囲の動作条件での特性評価だけでなく、ゲート電荷、ゲート抵抗、デバイスのキャパシタンスをすべて評価する必要があります。今回のB1505Aの機能拡張により、これらの評価を簡単かつ正確におこなえるため、B1505Aがパワーデバイステストの新たな標準となっていきます。」

B1505Aは、Microsoft Windows 7オペレーティングシステムをベースとした、パワーデバイス評価用のワンボックスソリューションです。サブpAから10 kV/1500 Aまでの広い測定範囲により、高精度のμΩオン抵抗測定が可能です。また、10 μsの高速パルス機能は、パワーデバイスのフルの特性評価を可能にします。B1505Aは、拡張性高いアーキテクチャ、使いやすいソフトウェア環境、次世代カーブトレーサ、自動テスト／解析機能を兼ね備え、パワーデバイスの特性評価で優れた性能と操作性を発揮します。