X4クラス ウルトラジャンクションMOSFET MMIX1T500N20X4シリーズ
最終更新日:2026/01/09
このページを印刷仕様
| 用途 | ・DC負荷スイッチ ・バッテリーエネルギー貯蔵システム ・産業用およびプロセス用電源 ・産業充電インフラ ・ドローン・垂直離着陸(VTOL)プラットフォーム |
|---|---|
その他の情報
- ・200Vのブロッキング電圧、1.99mΩの超低RDS(on)により導通損失を最小限に抑制
・ID=480Aの高い電流容量により、並列デバイスの数を削減
・2500Vの絶縁とRth(j-c)=0.14℃/Wに向上した熱抵抗を備えた、コンパクトなSMPD-X絶縁パッケージ
・Qg=535nCの低いゲート電荷により、ゲート駆動の電力要件を低減
・熱管理を容易にする上面冷却パッケージ
製品カタログ・資料
- X4クラス ウルトラジャンクションMOSFET MMIX1T500N20X4シリーズ
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1MB【MMIX1T500N20X4シリーズ】は、わずか1.99mΩと非常に低いオン抵抗(RDS(on))を備えた200V・480AのNチャネルMOSFET。優れた導通効率、熱管理の簡素化、および高電力密度の高い設計におけるシステム信頼性の向上が図れる。高性能セラミックベース絶縁型SMPD-Xパッケージを採用し、上面冷却機能により最適な熱管理を実現しており、既存の最先端X4クラスMOSFETソリューションに比べ、最大2倍の電流定格と最大63%低いRDS(on)を提供する。これにより、複数の低電流デバイスを並列接続して使用していた構成を単一の高電流デバイスへ集約することを可能にする。エネルギー貯蔵、充電、ドローン、産業用途における部品点数の削減に寄与。
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