高電圧 IGBT IXYT30N450HV
最終更新日:2026/02/02
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- ・薄ウエハーXPT技術
・低オン状態電圧VCE(sat)
・同梱の高速回復ダイオード
・VCE(sat)の正温度係数
・国際標準寸法の高圧パッケージ
製品カタログ・資料
- 高電圧 IGBT IXYT30N450HV
ファイル形式:PDF ファイルサイズ:0.25MB【IXYT30N450HV】は、独自の薄ウエハーXPT技術と最先端のIGBTプロセスを用いて開発された高電圧IGBT。低熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング機能などの特長があり、オン状態電圧の正温度係数により並列で使用できるため、直列接続の低電圧機器よりもコスト効率に優れたソリューションを提供する。オプションとして、逆回復時間が短い高速回復ダイオードを同梱することができる。
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会社情報

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