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RFパワーLDMOSトランジスタ LY2542LB

最終更新日:2024/10/18

プッシュプルパッケージを採用

【LY2542LB】は、プッシュプルパッケージの個別トランジスタ。Polyfet RF Devices社製。周波数：960MHz～1.215GHz、デシベル電力：59.03dBm、電力：800W、電力ゲイン(Gp)：13dB、VSWR：1.10：1。主に航空・一般産業向け電子機器などで使用でき、特定の帯域アプリケーションで動作する場合は、最低900Wのピークパルス電力を出力。最小120VDCのドレイン破壊電圧定格により、最大50VDCのドレイン電圧で信頼性の高い動作が可能。

半導体デバイス│ディスクリート:RFトランジスタ│

製品カタログ・資料

: LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.1MB【LY2542LB】は、960～1215MHz(IFF、SSRなど)、ADS-Bトランスポンダー、DMEパルスアビオニクスアプリケーション用のLDMOSプッシュプルトランジスタ。内部入出力インピーダンス。マッチングバック・トゥ・バック・ゲート・ダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲：40～50VDC、出力：800W、周波数：1215Mhz、利得：13dB、パッケージ：LY。

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