RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V
最終更新日:2023/05/01
このページを印刷製品カタログ・資料
- RFパワーモジュール MLCQ04
ファイル形式:PDF ファイルサイズ:0.13MB【MLCQ04】は、非常に高利得で20~520MHzの広帯域幅をカバーする2段のアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計でありながら非常に頑丈で軍事用に適している。VAGC端子を搭載しており、これによりモジュールの出力電力を制御する。出力:40W、周波数:20~520Mhz、利得:40dB、Vdd:28V。
関連製品カタログ・資料
会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
RFパワーLDMOSトランジスタ L2711 出力:7W/周波数:500MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MWAL01 出力:200W/周波数:2~30Mhz/利得:55dB/Vdd:24V
RFパワーGaNトランジスター GP1001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
LDMOSデバイス LR2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703
RFパワーGaNトランジスター GX2441 出力:50W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
LDMOSデバイス LA2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
RFパワーGaNトランジスター GX4001 出力:35W/周波数:2000Mhz/利得:11dB