製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります
すべてのカテゴリー
  1. トップ
  2. 企業情報
  3. (株)ノア テクノロジー
  4. カタログ・資料
  5. RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力：8W／周波数：500MHz／利得：13dB

【カタログプレビュー】RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力：8W／周波数：500MHz／利得：13dB

<ログインしてこのカタログをダウンロードする（無料）>
本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力：8W、周波数：500MHz、利得：13dB、パッケージ：S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
発行元：(株)ノア テクノロジー
<ログインしてこのカタログをダウンロードする（無料）>
最新展示会情報をもっと見る>>
ニュースリリース情報をもっと見る>>
企業ロゴ

企業基本情報

社名：
(株)ノア テクノロジー
住所：
〒 164-0011
東京都 中野区中央4-31-16
Web：
http://noah-techno.com/
TEL：
03-6382-7168

おすすめ情報

  • RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30～512Mhz/利得:17dB

    【MSCQ02】は、非常に高利得で30～512MHzの広帯域幅をカバーするアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計でありながら非常に頑丈で軍事用に適している。ALC端子を搭載しており、これによりモジュールの出力電力、Gain、ブランキングを制御する。出力:150W、周波数:30～512Mhz、利得:17dB、Vdd:28V。

  • RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

    【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。