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カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:100… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:15W、周波数:1000MHz、利得:12dB、パッケージ:S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:7W、周波数:1500MHz、利得:10dB、パッケージ:S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ LC821 出力:8W/周波数:500M… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:8W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AC。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ LQ821 出力:35W/周波数:500… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:35W、周波数:500MHz、利得:12dB、パッケージ:AP。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ L8821PR 出力:5W/周波数:50… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.05 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:5W、周波数:500MHz、利得:13dB、パッケージ:S08P。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ L2711 出力:7W/周波数:500M… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:7W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力:8W/周波数:500M… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:8W、周波数:500MHz、利得:13dB、パッケージ:S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB 出力:800W/周… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.1 MB 本製品は、960-1215MHz(IFF、SSRなど)、ADS-Bトランスポンダー、DMEパルスアビオニクスアプリケーション用トランジスタ。内部入出力インピーダンス。マッチング バック・トゥ・バック・ゲート・ダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。適している動作電圧範囲:40~50VDC、出力:800W、周波数:1215MHz、利得:13dB…
カタログを選択 LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.11 MB 本製品は、Lバンドレーダーなど1.2-1.4GHz内のパルスアプリケーション用トランジスタ。内部入出力インピーダンス。バックツーバックゲートダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:850W、周波数:1400MHz、利得:13dB、パッケージ:LY。
カタログを選択 RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz… ファイル形式:PDFファイルサイズ:0.04 MB 本製品は、高利得の2段アンプモジュール。動作温度範囲は-40~+85℃に拡張されている。出力:15W、周波数:20-520MHz、利得:27dB、Vdd:25V。
カタログを選択 RFパワーモジュール MCCQ04 出力:15W/周波数:20-520MHz… ファイル形式:PDFファイルサイズ:0.12 MB 本製品は、高利得の2段アンプモジュール。動作温度範囲は-40~+85℃に拡張されている。出力:15W、周波数:20-520MHz、利得:27dB、Vdd:24V。
カタログを選択 RFパワーモジュール MCDK23 出力:10W/周波数:30-88MHz… ファイル形式:PDFファイルサイズ:0.04 MB 本製品は、非常に高利得で30-88MHzの帯域幅をカバーする2段のアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計で非常に頑丈で軍事用に適している。VAGC端子を搭載しており、これによってモジュールの出力電力を制御。出力:10W、周波数:30-88MHz、利得:27dB、Vdd:12V。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:4W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:SO8。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:25W、周波数:175MHz、利得:13dB、パッケージ:AA。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SA702 出力:50W/周波数:175… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:50W、周波数:175MHz、利得:13dB、パッケージ:AA。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:8W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:AQ。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SK202 出力:10W/周波数:100… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:10W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:AK。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SK204 出力:25W/周波数:100… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:25W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:AK。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SK701 出力:45W/周波数:500… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適しており国内での採用実績あり。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AK。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタ…
カタログを選択 RFパワーVDMOSトランジスタ SK702 出力:90W/周波数:500… ファイル形式:pdfファイルサイズ:0.06 MB 本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:90W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AK。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
おすすめ情報RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30~512Mhz/利得:17dB 【MSCQ02】は、非常に高利得で30~512MHzの広帯域幅をカバーするアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計でありながら非常に頑丈で軍事用に適している。ALC端子を搭載しており、これによりモジュールの出力電力、Gain、ブランキングを制御する。出力:150W、周波数:30~512Mhz、利得:17dB、Vdd:28V。RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB 【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。