SiCジャンクショントランジスタ

本製品は、米GeneSiC社製のSiCバイポーラ型トランジスタ。SiC MOSFETと比較して低VDS(on)でありながら、同等以上のスイッチング特性を有する。バイポーラ型のためゲート酸化膜を有さず、Vgs(th)の変動の問題がない。250℃までの広い動作温度でチップ能力を発揮。IH、UPS、スイッチング電源、モータ駆動などに最適。