RFパワー・アンプ・モジュール

本製品は、新しいTop-Side Coolingパッケージング技術を用いたRFパワー・アンプ・モジュール。3.3～3.8GHzをカバーする200Wの32T32R無線子局向けに設計。自社開発のLDMOSとGaN半導体技術を組み合わせることにより、400MHzにわたる瞬時帯域幅で31dBの高ゲインと46％の高効率を実現。無線ユニットの小型化・薄型化・軽量化が図れ、5G基地局の迅速かつ容易な展開をサポート、性能を損なわずに設計と製造を簡素化する。専用RFシールドが不要になるほか、コスト効率と合理性に優れたプリント基板の使用、RF回路設計に制限されない放熱設計などに貢献。