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2～50GHz GaAs pHEMTパワー・アンプ HMC1126

アナログ・デバイセズ株式会社

最終更新日:2021/12/27

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  • 2～50GHz GaAs pHEMTパワー・アンプ HMC1126
1dBゲイン圧縮ポイントでの出力電力は17.5dBmを提供
【HMC1126】は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の分布型パワー・アンプ。動作範囲：2～50GHz、ゲイン：11dB、出力IP3：28dBm。1dBゲイン圧縮ポイントでの出力電力は17.5dBmを提供し、5V電源から65mAが必要。入出力は内部で50Ωに整合しているため、マルチチップ・モジュール(MCM)へ容易に組み込むことができる。すべてのデータは、チップを最短0.31mm(12mil)の2本の0.025mm(1mil)ワイヤ・ボンドで接続して測定。ダイ・サイズ: 2.3×1.45×0.05mm。
    　　　　　　　　
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2～50GHz GaAs pHEMTパワー・アンプ HMC1126
2～50GHz GaAs pHEMTパワー・アンプ HMC1126アナログ・デバイセズ株式会社

    企業基本情報

    社名：
    アナログ・デバイセズ株式会社
    住所：
    〒 105-6891
    港区海岸1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
    Web：
    http://www.analog.co.jp/

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