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超広帯域RFバイアス-T

(株)アムテックス

最終更新日:2018/09/03

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優れた高周波特性を実現

【超広帯域RFバイアス-T】は、周波数100kHz〜26.5GHzまでカバーでき高周波特性に優れた製品。最大入力電圧が＋16VDC、750mAまでの入力電流。挿入損失は1.0dB＠12GHz 、2.0dB＠26.5GHz。ポート間のアイソレーション特性は50dB。光変調器のバイアス、準マイクロ波、マイクロ波帯デバイスのバイアスコンポーネントに最適。

電子部品│高周波部品/マイクロ波部品/ミリ波部品│

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