GaNパワートランジスタ GS66508P／GS61008P

【GS66508P／GS61008P】は、ノーマリーオフ、超低インダクタンスパッケージ、大電流対応といった特長を有した、業界最上位クラスのE-HEMT(高電子移動度トランジスタ)。非ワイヤボンド接続、小型、薄型、かつ超低インダクタンス エンべデッドパッケージにて提供。GaNはスイッチングロスが非常に小さいため電源回路を高効率化でき、かつ従来のシリコンベースのスイッチング素子に比べ高速スイッチングが可能なため、電源回路の小型化に貢献する。100V耐圧品：20～220A、650V耐圧品：8.5～200Aの大電流タイプをラインアップ。