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半導体磁気抵抗素子センサ MRS-F-51

ニッコーシ(株)

最終更新日:2018/11/06

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素子に高感度でSN比が良いInSb単結晶を使用

【MRS-F-51】は、素子に高感度でSN比が良いInSb単結晶を使用した半導体磁気抵抗素子センサ。被検体が検知面に密着しなくても検知でき、出力は磁性体の移動速度に依存せず静止体の検知も可能。検知部は純抵抗で誘導ノイズを受けにくい。DIP型のオペアンプなどのICと同じ高さ(4.5mm)を実現。紙幣識別機、両替機などに最適。

センサ│磁気センサ│

　　　　　　　　

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