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JEDEC準拠 LPDDR4 DRAM

日本ISSI(同)

最終更新日:2021/12/17

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  • JEDEC準拠 LPDDR4 DRAM
On Chip ECC回路およびECCレジスタ機能を搭載
本製品は、低電圧、低消費電力を実現するJEDECに準拠したLPDDR4 DRAM。信頼性が高く、低容量から大容量に対応し、オンチップECC回路およびECCレジスタ機能を搭載。車載市場を中心とし、幅広い市場に向けて長期供給が可能。容量：2／4／8Gbits。動作温度は、Industrial：－40～＋95℃、Automotive：－40～＋125℃に対応。
    　　　　　　　　
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会社情報

日本ISSI(同)

ISSIは、自動車、通信、産業および医療向けの高性能集積回路を設計、開発、販売しているファブレスメーカーです。
当社の主力製品である高速および低消費電力のSRAMと幅広い容量のDRAMに加え、NORからNAND・eMMCまで揃えたフラッシュ製品と高性能アナログおよびミックスドシグナル集積回路を設計および販売しています。
 
ファブレスメーカーとしての事業モデルの長所と優れた設計技術を最大限活かし、低価格化、生産のフレキシビリティ化、長期安定供給、高品質化、環境問題への対応などに取り組んでおります。
競争の激しい半導体業界において、ISSIはお客様に「The Lowest Total Cost of Ownership」をご提供させていただくことを旗印にして、短期的な視点よりもむしろ長期的な視点からお客様に選んでいただける様、常に市場や技術の変化を見据えながら、これからも様々なビジネスチャンスの発見とあらゆる課題の解決に取り組んで参ります。

また、2020年1月　アナログ製品ブランド「Lumissil Microsystems」を立ち上げました。詳細につきましては「Lumissilについて」をご参照ください。

日本ISSI(同)
〒 160-0023  新宿区西新宿6-14-1　新宿グリーンタワービル18F

http://www.issi.com/
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企業基本情報

社名：
日本ISSI(同)
住所：
〒 160-0023
新宿区西新宿6-14-1　新宿グリーンタワービル18F
Web：
http://www.issi.com/

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  • Parallel NOR Flash　IS29GLxx　シリーズ供給中

    業界標準のアーキテクチャ、インターフェース、機能、パッケージにより、コストのかかる作業を回避するシンプルなドロップインソリューションを実現し、高性能と高スループットが求められる用途に適しています。

    容量:32Mbit～256Mbit
    電圧:2.7 to 3.6V
    動作温度:Extended(-40～+105℃)/Automotive(-40～+125℃)
    パッケージ:48pin TSOP/56pin TSOP/48ball BGA/56ball BGA/64ball BGA

    ■データーシート:
    https://www.issi.com/WW/pdf/29GL032-064.pdf

  • IS31FL3197　チャージポンプ付き4CH(RGBW)LEDドライバー

    チャージポンプ内蔵のIS31FL3197は低い電源電圧(2.0V~3.3V)で動作し4つのLEDを10mAまでの定電流でドライブすることが可能です。リチウムコイン電池の応用製品等で威力を発揮します。
    チャージポンプはバッテリーの状態により1倍、1.5倍、2倍の動作を自動選択します。I2Cインターフェースにより各LEDに流れる電流を8bitsのレベルおよび12bitのPWM設定で細かく制御できます。
    さらに動作パターンをプログラムできる “パターンモード”をサポートしておりMCUからの処理を軽減できます。

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