650V・15A窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタ GS66504B

【GS66504B】は、7～200Aの650Vデバイス・ファミリに追加されたパワートランジスタ。同社のIsland Technologyダイデザインは、極低インダクタンス・高熱効率GaNPXパッケージングおよびドライブアシスト(Drive Assist)技術との統合により、従来のシリコンMOSFETやIGBTに対してスイッチングおよび伝導性能が40倍向上したデバイスの開発に成功。本デバイスは、5.0×6.5mmのフットプリントに集約され、他社の同種デバイスよりも約50％の小型化を実現した。