Nチャンネル パワーMOSFET 950V CoolMOS PFD7
最終更新日:2023/08/17
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- ・最高クラスのハードコミュテーション耐量により、あらゆるトポロジーで使用可能
・CoolMOS(TM) C3に比べて、効率が最大 0.5 %向上し、MOSFET温度は最大 4°C低減
・高い電力密度設計、BOM削減、組み立てコスト削減が可能
・駆動と設計が容易
・ESD関連故障を低減し生産歩留まりを向上
・製造上の問題およびフィールドリターンの低減
製品カタログ・資料
- Nチャンネル パワーMOSFET 950V CoolMOS PFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.14MB【950V CoolMOS PFD7】は、高耐圧パワーMOSFET向けの革新的なスーパージャンクション技術で、高速ボディダイオード内蔵により照明や産業用SMPSに適したNチャンネル パワーMOSFET。複数のトポロジーで使用できるように設計されている。高い電力密度設計、BOM削減、組み立てコスト削減が可能。ESD関連故障を低減し、生産歩留まりを向上する。
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