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ハイサイド／ローサイドゲートドライバー「2ED2106S06F」用評価ボード EVAL-2ED2106

最終更新日:2024/04/17

最大＋650Vの動作電圧

【EVAL-2ED2106】は、ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC「2ED2106S06F」と2つのMOSFET「IPD60R360P7」が搭載された評価ボード。「インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバー」の基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されている。PWM入出力性能のテスト、伝搬遅延の確認、電流耐量／高スイッチング周波数性能を試験することが可能。ダブルパルステストにも対応。

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: ハイサイド／ローサイドゲートドライバー「2ED2106S06F」用評価ボード EVAL-2ED2106
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.71MB【EVAL-2ED2106】は、ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC「2ED2106S06F」と2つのMOSFET「IPD60R360P7」が搭載された評価ボード。「インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバー」の基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されている。PWM入出力性能のテスト、伝搬遅延の確認、電流耐量／高スイッチング周波数性能を試験することが可能。ダブルパルステストにも対応。

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