1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T
最終更新日:2023/08/17
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- ・1200Vの薄膜SOI技術
・超高速のブートストラップダイオードを内蔵
・SOI技術による-100Vの負の過渡電圧耐量 (最大パルス幅 700ns)
・出力ソース/シンク電流容量 +0.35A/-0.65A
・完全保護機能:
過電流保護 (ITRIP +/- 5%リファレンス)
シュートスルー (クロス導通) 保護
VCCとVBSの独立した低電圧ロックアウト、緻密なUVLOレベル
フォールトレポート、オート フォールト クリア、イネーブル機能を同一端子で実現 (RFE)
・DSO-24 パッケージ
製品カタログ・資料
- 1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.53MB【EiceDRIVER 6ED2231S12T】は、DSO-24リードパッケージ・1200V IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用EiceDRIVE三相ゲートドライバー。1200V薄膜SOI(シリコンオンインシュレータ)技術を活用することで3つの低オン抵抗内蔵ブートストラップダイオードや、業界最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供。BOMコスト削減、PCB縮小、設計の簡素化によるコスト削減を実現。
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