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1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • 1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T
標準ソース電流:0.35Aおよびシンク電流:0.65A
EiceDRIVER 6ED2231S12T】は、DSO-24リードパッケージ・1200V IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用EiceDRIVE三相ゲートドライバー。1200V薄膜SOI(シリコンオンインシュレータ)技術を活用することで3つの低オン抵抗内蔵ブートストラップダイオードや、業界最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供。BOMコスト削減、PCB縮小、設計の簡素化によるコスト削減を実現。

その他の情報

    ・1200Vの薄膜SOI技術
    ・超高速のブートストラップダイオードを内蔵
    ・SOI技術による-100Vの負の過渡電圧耐量 (最大パルス幅 700ns)
    ・出力ソース/シンク電流容量 +0.35A/-0.65A
    ・完全保護機能:
     過電流保護 (ITRIP +/- 5%リファレンス)
     シュートスルー (クロス導通) 保護
     VCCとVBSの独立した低電圧ロックアウト、緻密なUVLOレベル
     フォールトレポート、オート フォールト クリア、イネーブル機能を同一端子で実現 (RFE)
    ・DSO-24 パッケージ

製品カタログ・資料

1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T
1200V IGBT/SiCモジュール/ディスクリート用三相ゲートドラ イバー 6ED2231S12T

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.53MB【EiceDRIVER 6ED2231S12T】は、DSO-24リードパッケージ・1200V IGBT/SiCモジュールおよびディスクリート用EiceDRIVE三相ゲートドライバー。1200V薄膜SOI(シリコンオンインシュレータ)技術を活用することで3つの低オン抵抗内蔵ブートストラップダイオードや、業界最高クラスの堅牢性による負の過渡電圧スパイク保護など、独自の利点を提供。BOMコスト削減、PCB縮小、設計の簡素化によるコスト削減を実現。

会社情報

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

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