製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります
すべてのカテゴリー
  1. トップ
  2. 企業情報
  3. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
  4. 製品
  5. 車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデル

車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデル

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/18

このページを印刷
  • 車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデル
.XT実装技術でクラス最高の放熱性を実現、高電圧沿面絶縁要求に最適
本製品は、最先端のSiCトレンチ技術と.XT実装技術を使用して製造されたSiC(シリコンカーバイド) MOSFET。現在および将来のハイブリッド車や電気自動車のオンボードチャージャー、DC-DCアプリケーション向けに開発されており、信頼性、品質、性能に関して自動車産業が要求する高い要件を満たすように設計されている。
    　　　　　　　　
  • 製品カタログ
  • お問い合わせ
  • この企業の情報を見る

  • 製品のサイトへ

その他の情報

    ・画期的な半導体素材 – SiC (シリコンカーバイド)
    ・きわめて低いスイッチング損失
    ・閾値なしの定常特性
    ・0 Vターンオフゲート電圧
    ・ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) =4.5V
    ・全範囲で制御可能なdv/dt
    ・同期整流に対応した堅牢な還流ボディダイオード
    ・温度に依存しないターンオフスイッチング損失
    ・最適化されたスイッチング性能のためのセンスピン
    ・高電圧沿面絶縁要求に最適
    ・.XT実装技術でクラス最高の放熱性を実現

製品カタログ・資料

車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデル
車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデル

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.52MB本製品は、最先端のSiCトレンチ技術と.XT実装技術を使用して製造されたSiC(シリコンカーバイド) MOSFET。現在および将来のハイブリッド車や電気自動車のオンボードチャージャー、DC-DCアプリケーション向けに開発されており、信頼性、品質、性能に関して自動車産業が要求する高い要件を満たすように設計されている。

会社情報

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント

https://www.infineon.com/cms/jp/
詳細はこちら

製品ご紹介

車載用1200V CoolSiC Trench MOSFET TO263-7パッケージモデルのお問い合わせ

お問い合わせはこちら
企業ロゴ

新着製品情報

OptiMOS 6 Power MOSFET
OptiMOS 6 Power MOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
600V パワーMOSFET Co-Pack FRED Diode付き X2-Class Boost Topologyシリーズ
600V パワーMOSFET Co-Pack FRED Diode付き X2-Class…Littelfuseジャパン合同会社
再生産 オンセミ社製品の継続供給サポート
再生産 オンセミ社製品の継続供給サポートRochester Electronics Ltd
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MOSFET R600xxND4
小型SOT-223-3パッケージ 600V耐圧Super Junction MO…コアスタッフ株式会社
SiC MOSFETモジュール
SiC MOSFETモジュール(株)三社電機製作所

ランキング

20〜60V相補型MOSFET
20〜60V相補型MOSFETインフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNxシリーズ
ROHM社製 SuperJunction MOSFET PrestoMOS R60xxJNx…コアスタッフ株式会社
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズ
強化型SiC MOSFET LSIC1MO120E0160シリーズLittelfuseジャパン合同会社
インフィニオン製MOSFET／IGBT
インフィニオン製MOSFET／IGBTRochester Electronics Ltd

企業基本情報

社名：
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
住所：
〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18　NBF渋谷ガーデンフロント
Web：
https://www.infineon.com/cms/jp/

おすすめ情報

  • ＜24GHzレーダーデモキット＞

    本製品は、従来の24GHzレーダー性能を超える高精度な距離測定を可能にする24GHzレーダーデモキット。距離測定精度：＋／-5cm、測定距離範囲：0.1～25m。24GHzトランシーバICにはBGT24MTR11を採用。24GHz VCO／送信／受信回路をワンチップ化。信号処理部に独自のアルゴリズムを採用。