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1600V位相制御サイリスタディスク T2200N16H100

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2024/06/13

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  • 1600V位相制御サイリスタディスク T2200N16H100
小さなクランプシステムで同じオンステート損失を実現
T2200N16H100】は、最新の圧接技術を用いた1600V、100mm径のサイリスタディスク。このエコディスクは、生産労力とクランプ力の観点から最適化されており、小さなクランプシステムで同じオンステート損失を達成。同じフットプリントでコスト効率の高い製品への置き換えが可能になるとともに、定評ある高信頼性により、製品を長寿命化。圧接チップは、最高クラスの電圧耐量を実現。

製品カタログ・資料

1600V位相制御サイリスタディスク T2200N16H100
1600V位相制御サイリスタディスク T2200N16H100

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.44MB【T2200N16H100】は、最新の圧接技術を用いた1600V、100mm径のサイリスタディスク。このエコディスクは、生産労力とクランプ力の観点から最適化されており、小さなクランプシステムで同じオンステート損失を達成。同じフットプリントでコスト効率の高い製品への置き換えが可能になるとともに、定評ある高信頼性により、製品を長寿命化。圧接チップは、最高クラスの電圧耐量を実現。

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