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高速レベルシフト 650VハーフブリッジSOIゲートドライバ EiceDRIVER

最終更新日:2023/08/17

超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵

本製品は、同社のSOI技術をベースに、超高速ブートストラップダイオードを内蔵するほか、VS端子の負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を備えたゲートドライバIC。高速90nsの伝搬遅延と(最大)10nsの遅延マッチングにより、高周波数でのスイッチングが可能になり、SMPS、UPS、eVウォールチャージャ、バッテリチャージャ、LED照明器具など、多くのアプリケーションで使用されるLLC ／ LCC共振ZVSトポロジへのアプリケーションで利用できる。超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵し、BOMコストを低減する。家電機器、小型家電、ドライブ、その他のモータ制御アプリケーションにも適している。

半導体デバイス│パワーマネージメントIC:ゲートドライバ│

その他の情報

製品カタログ・資料

: 高速レベルシフト 650VハーフブリッジSOIゲートドライバ EiceDRIVER
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.12MB本製品は、同社のSOI技術をベースに、超高速ブートストラップダイオードを内蔵するほか、VS端子の負の過渡電圧に対して優れた耐久性とノイズ耐性を備えたゲートドライバIC。高速90nsの伝搬遅延と(最大)10nsの遅延マッチングにより、高周波数でのスイッチングが可能になり、SMPS、UPS、eVウォールチャージャ、バッテリチャージャ、LED照明器具など、多くのアプリケーションで使用されるLLC ／ LCC共振ZVSトポロジへのアプリケーションで利用できる。超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵し、BOMコストを低減する。家電機器、小型家電、ドライブ、その他のモータ制御アプリケーションにも適している。

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