その他の情報
- ・動作電圧範囲:1.7〜2.0V
・HYPERBUS 拡張I/O(16ビット)
・アクセス時間:35ns(max)、クロックレート:200MHz
・Double data rate(DDR) リード/ライト帯域幅:800MBps
・設定可能なバーストモード(リニアバースト、ラップレングスバースト、ハイブリッドバースト)
・出力駆動強度の設定可能
・ディープパワーダウン:12μA(max)、ハイブリッド ディープスリープ:140μA@85℃
・メモリアレイの分割リフレッシュ機能により、バッテリー性能を最適化
・パッケージ:49-ball BGA 8×8mm
・容量:256Mb
製品カタログ・資料
- 擬似スタティック ランダム アクセス メモリ x16 256Mbit HYPERRAM 3.0
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.05MB【HYPERRAM 3.0】は、スクラッチパッドやバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組込みシステム向けの高速、低ピン数、低消費電力のセルフリフレッシュ型ダイナミックRAM(DRAM)。16ビットI/Oによって実現されており、DDRモードで最大800MBpsの読み取り/書き込み帯域幅を提供する。9Ball BGAパッケージで、拡張動作温度範囲(-40~+105℃)を提供する。インダストリーおよび拡張インダストリー温度グレードを提供可能、1.8Vのオプションに対応。
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会社情報
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