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MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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  • MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74
優れたゲート酸化膜信頼性を実現、エネルギー貯蔵システムに最適
F3L11MR12W2M1_B74】は、高い定格電流のシリコンダイオードを採用しており、cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに最適なモジュール。モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることができる。さらに、クラス最高のCoolSiCトレンチMOSFET技術を搭載し、優れたゲート酸化膜信頼性を実現している。

その他の情報

    ・CoolSiC(TM)トレンチMOSFETテクノロジー
    ・3レベルのANPCトポロジー
    ・1200VのスイッチでDC1500Vのフル機能
    ・Siダイオードの定格電流増加
    ・PressFITテクノロジー
    ・幅広いEasy製品のラインアップ

製品カタログ・資料

MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74
MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.03MB【F3L11MR12W2M1_B74】は、高い定格電流のシリコンダイオードを採用しており、cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに最適なモジュール。モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることができる。さらに、クラス最高のCoolSiCトレンチMOSFET技術を搭載し、優れたゲート酸化膜信頼性を実現している。

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インフィニオンテクノロジーズは、ドイツに本社をおく半導体分野(マイクロエレクトロニクス)の世界的リーダーです。
車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 150-0002  渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント

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