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MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)

最終更新日:2021/05/07

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  • MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74
優れたゲート酸化膜信頼性を実現、エネルギー貯蔵システムに最適
F3L11MR12W2M1_B74】は、高い定格電流のシリコンダイオードを採用しており、cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに最適なモジュール。モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることができる。さらに、クラス最高のCoolSiCトレンチMOSFET技術を搭載し、優れたゲート酸化膜信頼性を実現している。

その他の情報

    ・CoolSiC™トレンチMOSFETテクノロジー
    ・3レベルのANPCトポロジー
    ・1200VのスイッチでDC1500Vのフル機能
    ・Siダイオードの定格電流増加
    ・PressFITテクノロジー
    ・幅広いEasy製品のラインアップ

製品カタログ・資料

MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74
MOSFET 3レベルANPCパワーモジュール 1200V F3L11MR12W2M1_B74

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.03MB【F3L11MR12W2M1_B74】は、高い定格電流のシリコンダイオードを採用しており、cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに最適なモジュール。モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることができる。さらに、クラス最高のCoolSiCトレンチMOSFET技術を搭載し、優れたゲート酸化膜信頼性を実現している。

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    〒 141-0032
    品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F
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