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RFパワーGaNトランジスター GX4442 出力:160W／周波数:2000Mhz／利得:12dB

(株)ノアテクノロジー

最終更新日:2023/05/01

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Polyfet RF Devices社製

【GX4442】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：160W、周波数：2000Mhz、利得：12dB、パッケージ：GX。

半導体デバイス│ディスクリート:パワーモジュール│

製品カタログ・資料

: RFパワーGaNトランジスター GX4442
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.06MB【GX4442】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：160W、周波数：2000Mhz、利得：12dB、パッケージ：GX。

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弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
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〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168

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住所：: 〒 164-0011
中野区中央4-31-16

Web：: http://noah-techno.com/

TEL：: 03-6382-7168

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