RFパワーGaNトランジスター GX4442 出力:160W/周波数:2000Mhz/利得:12dB
最終更新日:2023/05/01
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- RFパワーGaNトランジスター GX4442
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.06MB【GX4442】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力:160W、周波数:2000Mhz、利得:12dB、パッケージ:GX。
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製品ご紹介
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RFパワーモジュール MKAL02 出力:100W/周波数:2~100Mhz/利得:50dB/Vdd:28V
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ZTS社製 RF固定減衰器
RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175MHz/利得:13dB
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シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703
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