LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
最終更新日:2023/04/11
このページを印刷製品カタログ・資料
- LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.11MB【LY2542LR】は、Lバンドレーダーなど1.2~1.4GHz内のパルスアプリケーション用LDMOSプッシュプルトランジスタ。内部入出力インピーダンス。バックツーバックゲートダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:850W、周波数:1400Mhz、利得:13dB、パッケージ:LY。
関連製品カタログ・資料

RFパワーGaNトランジスター GX2001

RFパワーLDMOSトランジスタ LQ821 出力:35W/周波数:500MHz/利得: 12dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175MHz/利得:13dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SK202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB

RFパワーモジュール MCCQ04 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:24V

RFパワーモジュール MSCQ02

RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB

RFパワーGaNトランジスター G21001

RFパワーモジュール MBDQ04

RFパワーLDMOSトランジスタ LC821 出力:8W/周波数:500MHz/利得:10dB
会社情報

株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701

RFパワーVDMOSトランジスタ SK702 出力:90W/周波数:500MHz/利得:10dB

RFパワーGaNトランジスター GX4442 出力:160W/周波数:2000Mhz/利得:12dB

RFパワーモジュール MTDQ01 出力:50W/周波数:20~520Mhz/利得:13dB/Vdd:24V

RFパワーVDMOSトランジスタ SK202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB

RFパワーLDMOSトランジスタ LC821 出力:8W/周波数:500MHz/利得:10dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB

ZTS社製 RF固定減衰器

RFパワーVDMOSトランジスタ SM401 出力:135W/周波数:175MHz/利得:11dB

LDMOSデバイス LR2301 出力:125W/周波数:500Mh/利得:18dB

























