LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
最終更新日:2023/04/11
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- LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.11MB【LY2542LR】は、Lバンドレーダーなど1.2~1.4GHz内のパルスアプリケーション用LDMOSプッシュプルトランジスタ。内部入出力インピーダンス。バックツーバックゲートダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:850W、周波数:1400Mhz、利得:13dB、パッケージ:LY。
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会社情報

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製品ご紹介

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーLDMOSトランジスタ LY942

RFパワーモジュール MVAD01 出力:40W/周波数:2~30Mhz/利得:30dB/Vdd:24V

RFパワーモジュール MGDK21 出力:10W/周波数:30~88Mhz/利得:30dB/Vdd:12V

RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V

RFパワーモジュール MTDQ01 出力:50W/周波数:20~520Mhz/利得:13dB/Vdd:24V

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701

RFパワーLDMOSトランジスタ L8821PR 出力:5W/周波数:500MHz/利得:13dB

RFパワーモジュール MSUV41 出力:100W/周波数:960~1260Mhz/利得:13dB/Vdd:48V

RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB

LDMOSデバイス LR2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB



































