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シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703

最終更新日:2023/04/12

Polyfet RF Devices社製

【SM703】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適しており、国内での採用実績もある。出力：80W、周波数：175MHz、利得：13dB、パッケージ：AM。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

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製品カタログ・資料

: シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.22MB【SM703】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適しており、国内での採用実績もある。出力：80W、周波数：175MHz、利得：13dB、パッケージ：AM。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

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