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シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701

(株)ノア テクノロジー

最終更新日:2023/04/12

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  • シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
Polyfet RF Devices社製
【SJ701】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AJ。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

製品カタログ・資料

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.05MB【SJ701】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AJ。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

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