シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
最終更新日:2023/04/12
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- シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.05MB【SJ701】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AJ。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。
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会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
RFパワーVDMOSトランジスタ SK204 出力:25W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR704 出力:300W/周波数:175MHz/利得:12dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MBDP01 出力:64W/周波数:30~400Mhz/利得:10dB/Vdd:27V
RFパワーモジュール MKAL02 出力:100W/周波数:2~100Mhz/利得:50dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MBDQ04 出力:50W/周波数:30~512Mhz/利得:10dB/Vdd:24V
RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L8821PR 出力:5W/周波数:500MHz/利得:13dB