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RFパワーGaNトランジスター GX3441 出力:80W／周波数:2000Mhz／利得:12dB

(株)ノアテクノロジー

最終更新日:2023/05/01

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Polyfet RF Devices社製

【GX3441】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：80W、周波数：2000Mhz、利得：12dB、パッケージ：GX。

半導体デバイス│ディスクリート:パワーモジュール│

製品カタログ・資料

: RFパワーGaNトランジスター GX3441
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.05MB【GX3441】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：80W、周波数：2000Mhz、利得：12dB、パッケージ：GX。

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半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
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〒 164-0011 中野区中央4-31-16
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