LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
最終更新日:2023/07/31
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- LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.11MB本製品は、Lバンドレーダーなど1.2-1.4GHz内のパルスアプリケーション用トランジスタ。内部入出力インピーダンス。バックツーバックゲートダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:850W、周波数:1400MHz、利得:13dB、パッケージ:LY。
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製品ご紹介
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
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シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V
RFパワーGaNトランジスター G22001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR401 出力:300W/周波数:175MHz/利得:13dB