LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
最終更新日:2023/07/31
このページを印刷製品カタログ・資料
- LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.11MB本製品は、Lバンドレーダーなど1.2-1.4GHz内のパルスアプリケーション用トランジスタ。内部入出力インピーダンス。バックツーバックゲートダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:850W、周波数:1400MHz、利得:13dB、パッケージ:LY。
関連製品カタログ・資料

LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB 出力:800W/周波数:1215MHz/利得:13dB

LDMOSデバイス LX2301

RFパワーLDMOSトランジスタ L8821PR 出力:5W/周波数:500MHz/利得:13dB

RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V

RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB

RFパワーGaNトランジスター GX3441

RFパワーGaNトランジスター G21441

RFパワーモジュール MSUV41

RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB

RFパワーGaNトランジスター GP2001
会社情報

株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介

RFパワーLDMOSトランジスタ LY2542LB

RFパワーVDMOSトランジスタ SR703 出力:150W/周波数:500MHz/利得:8dB

RFパワーモジュール MGDK21 出力:10W/周波数:30~88Mhz/利得:30dB/Vdd:12V

RFパワーGaNトランジスター GX2441 出力:50W/周波数:2000Mhz/利得:11dB

RFパワーGaNトランジスター GP1441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SM401 出力:135W/周波数:175MHz/利得:11dB

RFパワーモジュール MSCQ01 出力:100W/周波数:30~512Mhz/利得:8dB/Vdd:26V

RFパワーGaNトランジスター G21441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

RFパワーGaNトランジスター GX4441 出力:100W/周波数:2000Mhz/利得:12dB

RFパワーモジュール MCCQ04 出力:15W/周波数:20~520Mhz/利得:27dB/Vdd:24V

























