RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB
最終更新日:2023/07/31
このページを印刷製品カタログ・資料
- RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.06MB本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:15W、周波数:1000MHz、利得:12dB、パッケージ:S02。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。
関連製品カタログ・資料
RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
LDMOSデバイス LB2301
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB 出力:800W/周波数:1215MHz/利得:13dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L8821PR 出力:5W/周波数:500MHz/利得:13dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
RFパワーモジュール MCCQ04
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
RFパワーGaNトランジスター GP2441
RFパワーモジュール MLCQ02
会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SP202 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB
LDMOSデバイス LR2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
RFパワーモジュール MLCQ03 出力:60W/周波数:20~512Mhz/利得:37dB/Vdd:28V
RFパワーLDMOSトランジスタ LQ821 出力:35W/周波数:500MHz/利得: 12dB
RFパワーGaNトランジスター GX4442 出力:160W/周波数:2000Mhz/利得:12dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力:8W/周波数:500MHz/利得:13dB
RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR