RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
最終更新日:2023/04/25
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- RFパワーGaNトランジスター G21001
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.04MB【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。
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製品ご紹介
RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30~512Mhz/利得:17dB
RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MCDK23 出力:10W/周波数:30-88MHz/利得:27dB/Vdd:12V
RFパワーモジュール MBDQ04 出力:50W/周波数:30~512Mhz/利得:10dB/Vdd:24V
RFパワーモジュール MWAL01 出力:200W/周波数:2~30Mhz/利得:55dB/Vdd:24V
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR401 出力:300W/周波数:175MHz/利得:13dB
LDMOSデバイス LA2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V
LDMOSデバイス LS2641 出力:250W/周波数:500Mh/利得:16dB