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RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W／周波数:2500Mhz／利得:11dB

(株)ノアテクノロジー

最終更新日:2023/04/25

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Polyfet RF Devices社製

【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力： 10W、周波数： 2500Mhz、利得： 11dB、パッケージ： G2。

半導体デバイス│ディスクリート:パワーモジュール│

製品カタログ・資料

: RFパワーGaNトランジスター G21001
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.04MB【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力： 10W、周波数： 2500Mhz、利得： 11dB、パッケージ： G2。

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〒 164-0011 中野区中央4-31-16
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