RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
最終更新日:2023/04/25
このページを印刷製品カタログ・資料
- RFパワーGaNトランジスター G21001
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.04MB【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。
関連製品カタログ・資料

RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力:8W/周波数:500MHz/利得:13dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SA702 出力:50W/周波数:175MHz/利得:13dB

RFパワーGaNトランジスター G22001

広帯域 RFパ ワー MosFE「 トランジスタ SP701

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701

RFパワーモジュール MMAL01

RFパワーVDMOSトランジスタ SK702 出力:90W/周波数:500MHz/利得:10dB

RFパワーGaNトランジスター GX3442

RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V

RFパワーVDMOSトランジスタ SK701 出力:45W/周波数:500MHz/利得:10dB
会社情報

株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介

RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB

RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V

RFパワーGaNトランジスター GX4002 出力:70W/周波数:2000Mhz/利得:11dB

RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB

RFパワーGaNトランジスター GX2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB

RFパワーモジュール MBDP01 出力:64W/周波数:30~400Mhz/利得:10dB/Vdd:27V

RFパワーGaNトランジスター G21441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

LDMOSデバイス LS2641 出力:250W/周波数:500Mh/利得:16dB

RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB

RFパワーモジュール MCDK23 出力:10W/周波数:30-88MHz/利得:27dB/Vdd:12V

























