製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります
すべてのカテゴリー
  1. トップ
  2. 企業情報
  3. (株)ノア テクノロジー
  4. カタログ・資料
  5. LDMOSデバイス LS2641

【カタログプレビュー】LDMOSデバイス LS2641

<ログインしてこのカタログをダウンロードする（無料）>
【LS2641】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1～1300MHz。出力：250W、周波数：500Mh、利得：16dB、パッケージ：LS。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。
発行元：(株)ノア テクノロジー
<ログインしてこのカタログをダウンロードする（無料）>
最新展示会情報をもっと見る>>
ニュースリリース情報をもっと見る>>
企業ロゴ

企業基本情報

社名：
(株)ノア テクノロジー
住所：
〒 164-0011
東京都 中野区中央4-31-16
Web：
http://noah-techno.com/
TEL：
03-6382-7168

おすすめ情報

  • RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30～512Mhz/利得:17dB

    【MSCQ02】は、非常に高利得で30～512MHzの広帯域幅をカバーするアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計でありながら非常に頑丈で軍事用に適している。ALC端子を搭載しており、これによりモジュールの出力電力、Gain、ブランキングを制御する。出力:150W、周波数:30～512Mhz、利得:17dB、Vdd:28V。

  • RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

    【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。