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LDMOSデバイス LB2301 出力:125W／周波数:500Mh／利得:18dB

最終更新日:2023/05/01

Polyfet RF Devices社製

【LB2301】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1～1100MHz。出力：125W、周波数：500Mh、利得：18dB、パッケージ：LB。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。

半導体デバイス│ディスクリート:RFトランジスタ│

製品カタログ・資料

: LDMOSデバイス LB2301
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.08MB【LB2301】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1～1100MHz。出力：125W、周波数：500Mh、利得：18dB、パッケージ：LB。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。

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