シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
最終更新日:2023/04/12
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- シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.06MB【SE701】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AE。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。
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会社情報
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(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
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製品ご紹介
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703
RFパワーGaNトランジスター GP2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175MHz/利得:13dB
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR
RFパワーGaNトランジスター GX2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MWAL01 出力:200W/周波数:2~30Mhz/利得:55dB/Vdd:24V
RFパワーVDMOSトランジスタ SK204 出力:25W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V
RFパワーGaNトランジスター GX4001 出力:35W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SK202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB