シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
最終更新日:2023/04/12
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- シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.06MB【SE701】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:45W、周波数:500MHz、利得:10dB、パッケージ:AE。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。
関連製品カタログ・資料
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会社情報
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(株)ノア テクノロジー
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製品ご紹介
RFパワーモジュール MSCQ01 出力:100W/周波数:30~512Mhz/利得:8dB/Vdd:26V
RFパワーVDMOSトランジスタ SR401 出力:300W/周波数:175MHz/利得:13dB
RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30~512Mhz/利得:17dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター GX4441 出力:100W/周波数:2000Mhz/利得:12dB
RFパワーGaNトランジスター GX3441 出力:80W/周波数:2000Mhz/利得:12dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR704U 出力:150W/周波数:400MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MSMV01 出力:100W/周波数:225~1000Mhz/利得:16dB/Vdd:28V
RFパワーGaNトランジスター GX4442 出力:160W/周波数:2000Mhz/利得:12dB
LDMOSデバイス LB2401 出力:125W/周波数:1000Mhz/利得:16dB