LDMOSデバイス LS2641 出力:250W/周波数:500Mh/利得:16dB
最終更新日:2023/05/01
このページを印刷製品カタログ・資料
- LDMOSデバイス LS2641
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.14MB【LS2641】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1~1300MHz。出力:250W、周波数:500Mh、利得:16dB、パッケージ:LS。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。
関連製品カタログ・資料
会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
LDMOSデバイス LR2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
RFパワーGaNトランジスター GX4002 出力:70W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーGaNトランジスター GX3442 出力:120W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーGaNトランジスター GP2441 出力:40W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーGaNトランジスター G22001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MKAL02 出力:100W/周波数:2~100Mhz/利得:50dB/Vdd:28V
LDMOSデバイス LB2301 出力:125W/周波数:500Mh/利得:18dB
RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V
RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V
RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V