LDMOSデバイス LS2641 出力:250W/周波数:500Mh/利得:16dB
最終更新日:2023/05/01
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- LDMOSデバイス LS2641
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.14MB【LS2641】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1~1300MHz。出力:250W、周波数:500Mh、利得:16dB、パッケージ:LS。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。
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製品ご紹介
RFパワーGaNトランジスター GX4002 出力:70W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MMAL01 出力:15W/周波数:5~100Mhz/利得:30dB/Vdd:25V
RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V
RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30~512Mhz/利得:17dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーLDMOSトランジスタ LY942
RFパワーVDMOSトランジスタ SR703 出力:150W/周波数:500MHz/利得:8dB
RFパワーモジュール MWAL01 出力:200W/周波数:2~30Mhz/利得:55dB/Vdd:24V
RFパワーGaNトランジスター GX2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MTDQ01 出力:50W/周波数:20~520Mhz/利得:13dB/Vdd:24V
RFパワーVDMOSトランジスタ SK702 出力:90W/周波数:500MHz/利得:10dB