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シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーLDMOSトランジスタ LY942

最終更新日:2023/04/11

Polyfet RF Devices社製

【LY942】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力：600W、周波数：80Mhz、利得：19dB、パッケージ：AY。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

半導体デバイス│ディスクリート:RFトランジスタ│

製品カタログ・資料

: シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーLDMOSトランジスタ LY942
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.05MB【LY942】は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力：600W、周波数：80Mhz、利得：19dB、パッケージ：AY。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現。

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