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LDMOSデバイス LB2401 出力:125W／周波数:1000Mhz／利得:16dB

最終更新日:2023/05/01

Polyfet RF Devices社製

【LB2401】は、ポリフェット社の比較的新しい28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1～1100MHz。出力：125W、周波数:1000Mhz、利得：16dB、パッケージ：LB。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。

半導体デバイス│ディスクリート:RFトランジスタ│

製品カタログ・資料

: LDMOSデバイス LB2401
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.1MB【LB2401】は、ポリフェット社の比較的新しい28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1～1100MHz。出力：125W、周波数:1000Mhz、利得：16dB、パッケージ：LB。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。

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