LDMOSデバイス LA2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
最終更新日:2023/05/01
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- LDMOSデバイス LA2541
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.16MB【LA2541】は、ポリフェット社の最新の28VDCのLDMOSデバイス。低容量であるためブロードバンドアプリケーションに最適。バックトゥバックゲートダイオードを採用しており、さまざまなナローバンドアプリケーションに対応する。適した周波数帯域は1~1100MHz。出力:200W、周波数:500Mh、利得:16dB、パッケージ:LA。ハイ・ドレイン・ブレイクダウン電圧でESD保護機能を強化しており、堅牢。
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会社情報
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製品ご紹介
RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V
RFパワーGaNトランジスター G21441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーLDMOSトランジスタ LQ821 出力:35W/周波数:500MHz/利得: 12dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MSMV01 出力:100W/周波数:225~1000Mhz/利得:16dB/Vdd:28V
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ701 出力:45W/周波数:500MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター GX2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーGaNトランジスター GP1001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SM401 出力:135W/周波数:175MHz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB