RFパワーGaNトランジスター GP2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
最終更新日:2023/05/01
このページを印刷製品カタログ・資料
- RFパワーGaNトランジスター GP2001
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.05MB【GP2001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。国内での採用実績あり。出力:20W、周波数:2000Mhz、利得:11dB、パッケージ:GP。
関連製品カタログ・資料
RFパワーVDMOSトランジスタ SA702 出力:50W/周波数:175MHz/利得:13dB
RFパワーGaNトランジスター GX2441
RFパワーLDMOSトランジスタ LQ821 出力:35W/周波数:500MHz/利得: 12dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SM401 出力:135W/周波数:175MHz/利得:11dB
RFパワーモジュール MCDK23 出力:10W/周波数:30-88MHz/利得:27dB/Vdd:12V
RFパワーVDMOSトランジスタ SP204 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター GX4002
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SK202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB
会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ202 出力:10W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター GX2001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーGaNトランジスター GP2441 出力:40W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MLCQ02 出力:40W/周波数:20~512Mhz/利得:37dB/Vdd:28V
LDMOSデバイス LR2541 出力:200W/周波数:500Mh/利得:16dB
RFパワーモジュール MMAL01 出力:15W/周波数:5~100Mhz/利得:30dB/Vdd:25V
RFパワーVDMOSトランジスタ SK702 出力:90W/周波数:500MHz/利得:10dB
RFパワーGaNトランジスター GP1441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR401 出力:300W/周波数:175MHz/利得:13dB