車載用1200V CoolSiC MOSFET
最終更新日:2023/08/17
このページを印刷本製品は、ハイブリッド車や電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、優れた性能、品質、信頼性を発揮する車載用1200V CoolSiC MOSFET。信頼性、品質、性能に関する自動車業界の高い要求条件に合わせて設計。
その他の情報
- ・革新的な半導体素材:シリコンカーバイド(SiC)
・きわめて低いスイッチング損失
・閾値なしの定常特性
・IGBT互換の駆動電圧(15Vでターンオン)
・0Vターンオフゲート電圧
・ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th)=4.5V
・完全に制御可能なdv/dt
・堅牢な転流ボディダイオード、容易に同期整流
・温度に依存しないターンオフスイッチング損失
製品カタログ・資料
- 車載用1200V CoolSiC MOSFET
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.86MB本製品は、ハイブリッド車や電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、優れた性能、品質、信頼性を発揮する車載用1200V CoolSiC MOSFET。信頼性、品質、性能に関する自動車業界の高い要求条件に合わせて設計。
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会社情報
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