『SMT Scope ギ酸雰囲気加熱特注仕様』は、狭ピッチでのマイクロバンプ接合やパワー半導体における、ギ酸還元雰囲気下での試料の状態変化"その場観察"が行えます。
N2バブリングによるギ酸濃度1％～5％の間で任意に設定可能です。
加熱中の脱気によるボイドレス実装が可能で、脱気タイミングは自由に設定できます。