高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社　米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、最新の650 V シリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）ショットキダイオード・ファミリを投入し、SiCダイオード・ポートフォリオを拡大しました。このダイオードの最先端のシリコンカーバイド技術は、より少ない動力損失と、デバイスの容易なパラレル化を通して、高いスイッチング能力を実現します。

オン・セミコンダクターが新たに発表した650 V SiCダイオード・ファミリには6～50アンペア（A）の範囲で、表面実装およびスルーホールパッケージで供給されます。すべてのダイオードは、ゼロ・リバースリカバリ、低いフォワード電圧、温度非依存性の電流安定性、高いサージ容量、正温度係数を備えています。

この新しいダイオードは、小型化と高性能化の課題に直面している、太陽光発電インバーター、EV／HEV充電器、テレコムおよびデータセンタの電力供給などの、さまざまなアプリケーション向けのPFCやブーストコンバータの設計を対象としています。

650 V デバイスは、高効率、高電力密度、小型フットプリント、高信頼性というシステムの複合的なメリットをもたらします。低いフォワード電圧（VF）とSiCダイオードのゼロ・リバースリカバリ・チャージにより電力損失を抑え、効率を向上させます。SiCダイオードの高速リカバリにより、スイッチング速度が向上するため、磁気やその他の受動素子のサイズを小型化でき、電力密度が向上し、回路設計全体を小型化できます。さらに、SiCダイオードは、より高いサージ電流に耐えることができ、－55～175℃の動作温度範囲で安定性をもたらします。

オン・セミコンダクターのSiCショットキダイオードは、特許取得済の独自の終端構造を採用しており、信頼性を強化し、安定性と頑丈性を向上させます。また、このダイオードは、より高いアバランシェエネルギ、業界最高レベルのUIS（アンクランプ誘導性スイッチング）能力、および最小のリーク電流性能を提供します。

オン・セミコンダクターの、MOSFETビジネスユニットのシニア・バイスプレジデント兼ジェネラルマネージャであるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「オン・セミコンダクターの新しい650 V SiCダイオード・ファンリは、既存の1200 V SiC デバイスを補完し、お客さまにより幅広い製品群を提供します。SiC技術は、ワイドバンドギャップ材料のユニークな特性を利用して、シリコンと比較して目に見える利点をもたらします。その堅牢な構造により、過酷な環境におけるアプリケーションで信頼性の高いソリューションを提供します。これら新しいデバイスにより、当社のお客さまは、簡素で、より性能の高い、小型フットプリントの設計の恩恵を享受できます」

パッケージおよび価格
650 V SiCダイオードデバイスは、DPAK、TO-220、TO-247 パッケージで提供されます。価格及び納期などご注文に関しては、弊社営業担当者または販売代理店にお問い合わせください。



オン・セミコンダクターは、2018年3月4日から米国テキサス州サンアントニオで開催されるAPECで、（ブース番号#601）。ブースでは、SiC MOSFETとダイオードのデモンストレーションを実演し、弊社の最新のシミュレーション・モデリング・テクニックによる、実デバイス動作の正確な再現をご紹介します。



オン・セミコンダクターについて

オン・セミコンダクター（Nasdaq: ON）は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。オン・セミコンダクターの製品は、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、医療機器、航空宇宙、防衛のアプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。迅速な対応、信頼性、世界クラスのサプライチェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。