三菱電機株式会社は、衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップレベルの出力50W・電力付加効率30％・線形利得9dBを実現した「Ku※1帯50W GaN HEMT※2」を10月1日に発売します。

これにより電力増幅器を構成する高周波デバイスの数を半分にすることが可能で、衛星通信地球局の小型・軽量化に貢献します。
※1　周波数12〜18GHzのマイクロ波
※2　Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ

≪新製品の特長≫
■高出力・高効率・高利得で電力増幅器の小型化に貢献
・耐圧性に優れたGaNを採用し24Vの高電圧動作することで出力電力50Wを実現
・電力付加効率※3 30％と従来品（MGFK44A4045）より10ポイント改善
・新たに開発した高耐圧ゲート構造とレイアウトの最適化により線形利得9dBの高利得を実現
※3　供給された電力が出力信号に変換される効率。数値が高いほど効率が優れる。

■低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
・出力電力20W（43dBm）時のIM3※4が−25dBcと低ひずみ特性を実現
※4　Inter Modulation：増幅器に2つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能。

≪発売のねらい≫
近年、災害時の通信の確保や地上通信網の整備が地理的に難しい地域での通信手段として衛星通信が注目されています。中でもC帯（4〜8GHz）などに比べ高速通信が可能なKu帯の衛星通信の需要が拡大しています。
一方で、車載や可搬での運用や設置性の高さが求められることから、地上に設置される地球局のサイズに影響を与える電力増幅器の小型軽量化が課題となっていました。
当社は今回、業界トップレベルの50Wの出力と電力付加効率30％、9dBの線形利得を実現したKu帯50W GaN HEMTの新製品を発売します。これにより、従来GaAs（ガリウムヒ素）を用いていた電力増幅器を構成する高周波デバイスの数を半分にすることができ、また、電力付加効率の改善と回路で発生していた損失低減による効率改善により、電力増幅器の小型・低消費電力化に貢献します。

≪今後の展開≫
Ku帯 GaN HEMTの更なる高出力化などの製品ラインアップの拡充を図ってまいります。

【お問い合わせ先】
三菱電機株式会社
半導体・デバイス第二事業部　高周波光デバイス営業第二部
〒100-8310　東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
TEL：03-3218-4880 / FAX：03-3218-4862
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